(資料圖)
近日,東京電子宣布成功開發(fā)出一種創(chuàng)新蝕刻技術(shù),首次將電介質(zhì)蝕刻應(yīng)用帶到了低溫范圍,使得刻蝕速率提高,能夠在堆疊超過400層的3DNAND器件中生成通道孔。該創(chuàng)新技術(shù)可在短短33分鐘內(nèi)實(shí)現(xiàn)10微米深的高縱橫比蝕刻,與之前的技術(shù)相比,可將全球變暖潛能值降低84%。
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